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项目介绍

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房，规划总产能30万片/月。项目一期2021年8月已满产，项目二期厂房拟于2022年2季度竣工。